TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1
0.1
D=T on /T
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
R θ JC =1.2 ° C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
P D
0.01
0.001
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 12: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for AOT4N60 (Note F)
10
D=T on /T
In descending order
1
T J,PK =T C +P DM .Z θ JC .R θ JC
R θ JC =3.6 ° C/W
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
P D
0.01
0.001
Single Pulse
T on
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 13: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance for AOTF4N60 (Note F)
Rev.10.0: October 2013
www.aosmd.com
Page 5 of 6
相关PDF资料
AOW480 MOSFET N-CH 80V 15A TO262
AP1608SF4C LED IR SMD 120 DEGREE 0.4LM
AP2012SF4C LED IR CLEAR GAALAS SMT
APA3010F3C-GX INFRARED EMITTING DIODE 940NM
APA3010F3C EMITTER IR 3.0X1.0MM RA SMD
APA3010P3BT-GX LED RA IR 940NM TRANS 3X1MM SMD
APA3010SF4C EMITTER IR 3X1MM WTR CLR RA SMD
APECVA3010F3C EMITTER IR 3.0X1.0MM RA SMD
相关代理商/技术参数
AOT4N60_12 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:600V,4A N-Channel MOSFET
AOT4S60 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:600V 4A a MOS TM Power Transistor
AOT4S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT500 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 80A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT500L 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOT502 功能描述:MOSFET N-CH CLAMPED 9A TO220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOT5B60D 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:IGBT 600V 10A 82.4W TO220
AOT5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:83W 开关能量:80μJ(开),70μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):195ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000